注1：
（MPUゲートのハーフピッチ），
（MPUゲートの加工後寸法）
- 注2：略語説明
- MPU（Microprocessing Unit），KrF（Krypton Fluoride），ArF（Argon Fluoride），EUV（Extreme Ultraviolet），MOSFET（Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor）
ITRS（国際半導体技術ロードマップ）が予測するMPUゲート電極のハーフピッチ寸法と加工後寸法の推移，およびリソグラフィーにおける露光法の変遷
MPUのゲート電極の寸法はハーフピッチの寸法よりもはるかに小さくなっており，近年，微細化が加速していることを示している。
MOSFETなどのSi半導体では，加工寸法がナノメートルの領域に入っている。ゲート電極寸法は，最先端の90nm技術ノードですでに50nm以下であり，開発が正念場を迎えた65nmノードでは25nmになる。そのため，スケーリング則に代わる新しい指針が求められており，ひずみ効果の利用や素子構造の三次元化などが注目されている。ひずみを利用する技術では，ひずみの評価やひずみに起因した欠陥の抑制などについて，高精度な評価技術が必要となる。MOSFETを三次元構造にするためには基板加工が重要であり，ナノメートル級の精度や加工表面の損傷の除去，さらに，その評価技術などが不可欠である。
HITACHI : グループ事業トピック 
