- 注：略語説明
- ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors），IF（Interface），SAN（Storage Area Network）
65nmノードで要求される仕様と，それを実現するための電子線マスク描画技術の概要
2003年のITRSの65nmノードにおけるマスク描画への要求仕様は，90nmノードに比べ，精度では約30％，データ容量では2倍以上としている。日立グループは，65nm対応マスク描画のためのさまざまな新規技術を開発している。
半導体製造装置には，高精度と高い生産性が同時に求められる。これは，KrFやArFの紫外光源で用いられるマスク技術にも言えることである。日立グループが開発したマスク用電子線描画装置「HL-7000Mシリーズ」は，新光学系，新補正技術による高い寸法制御と，ステージの高精度化や温度制御技術などによる高い位置制御性を持つことで，高精度化を実現している。また，微細化に伴うテラバイト相当の大容量データに対してはSANシステムを適用し，これまで分散化していたデータの一元化，データの管理や変換処理の高速化を行うことでユーザーの負担を軽減している。さらに，65nmノード世代だけでなく，既存製品が多くを占める現在の世代のマスク生産ラインにも対応できるように，高電流密度化，偏向演算の高速化技術などを採用し，システムの高スループットを図っている。
HITACHI : グループ事業トピック 
