- 注2：略語説明
- MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），MPU（Micro Processing Unit）
LSIの基本デバイスであるMOSFETと，不揮発性メモリのデバイス構造変化の予測
MOSFETと，不揮発性メモリのデバイス構造の変化を，微細加工寸法の推移とともに示す。MOSFETでは，チャネル領域の三次元化が，不揮発性メモリでは電荷蓄積膜の利用がそれぞれ進むと予想される。
65 nm世代の微細加工技術を用いた製品が登場し，Si-LSIの微細化はナノメートルの領域に深く入り込むまでになった。従来のSiデバイスの限界を打破するための提案が，数多く登場している。Si-LSIの基本デバイスであるMOSFETでは，電流を流すチャネルを三次元基板にしたデバイス構造が注目されており，日立製作所は新しいSOI-MOSFETを開発した。三次元構造チャネルMOSFETと同じ効果を持ち，かつ，基板電位を有効に活用できるのが特徴である。また，新しい製品への応用が拡大した不揮発性メモリ，特に大容量メモリの中心であるフラッシュメモリが注目されているが，従来の浮遊ゲートに電荷を蓄えるメモリセルには限界がある。そのため，新しい試みとして電荷蓄積膜を用いたメモリが開発されている。日立グループは，このようなSiデバイスの変化を踏まえながら，LSIの製造技術に関するベストソリューションの提供に取り組んでいる。
HITACHI : グループ事業トピック 
