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半導体デバイスへの三次元検査解析の現状と展望
―新計測・解析技術によるSmart Root Cause Analysisへの取り組み―

Current Status and Future Prospects of 3 Dimentional Inspection and Analysis for Semiconductor Devices
杉本有俊・見坊行雄・渡辺健二・矢口紀恵


ここから本文
 
概要図
 
注:略語説明
AFM (Atomic Force Microscope),CD-SEM(Critical Dimension Scanning Electron Microscope),STEM(Scanning Transmission Electron Microscope)
 
 
Smart Root Cause Analysisを実現する評価解析用装置システム
 半導体微細構造パターン寸法をインライン計測するCD-SEM,平面構造から立体構造形状の高精度計測に活用が期待されるAFM,計測対象パターンをピンポイントで切り出し,高倍率観察,計測を実現する高分解能SEM(走査型電子顕微鏡)とSTEM(走査透過電子顕微鏡)を示す。
 

 
 近年,半導体デバイスの構造はますます微細化するとともに,立体化・多層構造化が進んでいる。その結果,従来の計測技術では対応できなくなってきており,欠陥検査では単純に解釈のできない課題が浮き彫りになりつつある。
 これらの課題に対応するために,株式会社日立ハイテクノロジーズは,計測・検査・解析装置のラインアップでソリューションの開発を進めている。
 特に,年々複雑化するLSIの構造に対して,評価解析の最終目的である不具合の原因究明を合理的に進め,評価解析の効率化だけでなく,不具合の究明や,不具合対策の効率化を図っている。
 
 
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