- 注：略語説明
- CAD（Computer Aided Design），CD-SEM（Critical Dimension-Scanning Electron Microscope），LAN（Local Area Network）
設計データを活用した測長SEMシステム
設計データを活用した測長SEMシステムは，自動化された測定により設計データとSEM像の形状の差異の抽出や，シミュレーション結果とSEM像との対照比較などにより，転写像の変形度合いを検査し，異常個所の抽出などを効率よく行うことができる。
半導体デバイスの微細化は，リソグラフィープロセスでの液浸露光1）導入の本格化により，微細化が加速している。しかし，リソグラフィーの難易度も高まっており，プロセス余裕を確保するための超解像技術などが多用されることが必須である。これに伴い，パターン変形（近接効果）を補正するOPC（Optical Proximity Correction）の複雑化やマスクエラーの影響増大などが大きな問題である。これらの状況から，デバイスの歩留り向上を効率よく行うためには従来からの異物起因の欠陥の対策だけでは困難となっており，不良が起こりやすいHot Spot（危険箇所）の計測が望まれている。さらに，デザインの修正までさかのぼって対策するDFM（Design for Manufacturability）などへの対応も要求されている。
これらを実現する方法として，デザインデータの情報を使った計測技術としてDesignGaugeを開発した。この装置の適用により測定の自動化や，パターン設計や装置特性に依存するシステマティック欠陥の高効率計測が可能となる。また，計測の信頼性向上として，統計的なデータサンプリングによる計測精度の向上，立体形状の計測など最先端の技術に対応した計測技術を開発し，最新型測長SEMに搭載することにより，最先端デバイスの高品質，高効率生産の実現に貢献する。
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参考文献： |
S.Owa, et al.：Immersion Lithography: Its Potential Perfomance
and Issues, Proc. SPIE, vol. 5040, p.724 （2003） |
HITACHI : グループ事業トピック 
