300 mmエッチング装置と電極直下に排気ポンプを設置したエッチングリアクタ内のガス流れ，反応生成物の均一性
電極直下にTMP（Turbo Molecular Pump）を設置したエッチングリアクタを搭載する「8000シリーズ」（a）と「7000シリーズ」（b）は，実効排気速度の向上により，微細化に最適な大流量・低圧プラズマを形成することができ，ガス流れ，反応生成物の軸対称化によって高均一なエッチングが可能となる。
最先端の半導体デバイスでは，65 nmノードの量産が始まろうとしており，すでに45 nmノード以降の開発も始まっている。これに伴い，高度な微細化や精度向上技術が要求され，新材料への対応や量産安定性の確立も必須になってきている。このような背景の下で，株式会社日立ハイテクノロジーズは，微細化・高精度性と高生産性をコンセプトに，65 nmノード以降のデバイスに対応したエッチング装置およびエッチングプロセスを開発した。300 mmウェーハのエッチングで，ウェーハの面内均一性を向上させるために，エッチングリアクタの排気速度の均一化や電極の温度差制御機構も導入した。また，レジスト露光装置の露光限界を超えた寸法に対応できるレジストトリミング技術を開発した。さらに，作業性の向上やメンテナンス時間の短縮など，低CoO（Cost of Ownership）が実現できるエッチングリアクタを設計開発し，45 nmノード以降にも対応できるシリコンエッチング装置を目指している。
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