HITACHI : 日立評論 : 次世代デバイス対応縦型拡散・CVD装置“QUIXACE”の展開

次世代デバイスに対応する縦型拡散・CVD装置“QUIXACE”
　株式会社日立国際電気が蓄積してきた酸化拡散・気相反応技術や次世代デバイスへ展開可能な高清浄化（有機・金属汚染低減）技術などをベースに，小ロットから大ロット（50～125枚）までのフレキシブル性と高生産性を具備した“QUIXACE”を開発した。

　近年の半導体製造の形態には，DRAM，MPUに代表される少品種大量生産と，システムLSIなどの多品種少量生産の二つがあるが，いずれも製造工期の短縮要求が強まっている。
　ラージバッチ炉（100～125枚処理）の場合は，生産量調整のための待機時間が長くなり，製造工期が著しく長くなる。また，生成ガス，消費電力に加え，不足枚数分を補てんするダミーウェーハなどの使用量も増加し，CoO（Cost of Ownership）が増大するという課題がある。
　株式会社日立国際電気は，この課題に対応し，高生産性を実現するために，高スループットで良好なプロセス性能を持つQTAT対応の“QUIXACE”を開発し，半導体デバイスの生産に寄与している。

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