- 注：略語説明ほか
- DRAM（Dynamic Random Access Memory），MPU（Micro Processing Unit），ハーフピッチ（配線パターンピッチの）1/2
微細加工技術の国際半導体技術ロードマップ（ITRS）
MPUのゲートは，シュリンク技術を用いることで，総合的な加工技術水準を示すハーフピッチの値に比べ，小さな加工サイズを実現している。また，2005年から，微細加工技術の牽（けん）引役が，これまでのDRAMから，NAND型フラッシュメモリに置き換わった。
21世紀になり，従来のスケーリングによるCMOS高性能化を維持するため，テクノロジーブースタの導入が提案されてから4年が経過し，2世代を超えるデバイス開発が行われてきた。この間，微細加工はNAND型フラッシュメモリによって牽引され，ロードマップ予測を上回る速度で推移してきた。
しかし，ブースタとして期待された技術のうち，ひずみを除くと実用化の域に達せず，予定された時点での導入はなされていない。
そこで，半導体デバイス製造装置開発の指針となるシリコン半導体デバイスの研究開発について，これらブースタ技術を軸に2007年現在の状況をまとめ，その将来の方向性について検討する。
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