- 注：略語説明
- FWPC（Fab Wide Process Control），UPC（Unit Process Control），EPC（Equipment Process Control），AEC（Advanced Equipment Control），APC（Advanced Process Control）
ArF液浸時代のデバイス製造において，高性能・高生産性を実現するハードウェア，プロセス，システム技術
微細化に伴って45 nm世代以降では，ArF液浸露光技術によるレジストマスクの形成が主流となり，エッチングに対する要求がさらに厳しくなる。デバイスに要求される加工精度と高い生産性を確保するためには，エッチング装置に対する個々のハードウェアの進化，プロセス技術の高度化，顧客生産性をサポートするシステム技術の多様化が必要であり，「Time to Market」の開発が重要となる。
最先端の半導体デバイスでは必要な加工精度を確保することが難しくなってきた。エッチング加工でマスクとして使用されるレジストパターンはリソグラフィーで形成される。このパターンは，使用する露光波長に対して同等以下の線幅で形成することが要求され，もはや寸法精度や表面のうねりがデバイス特性を危うくする領域に入ってきた。
株式会社日立ハイテクノロジーズは，このような世代のデバイスでも高精度性で高生産性を保ちながら高歩留りを確保できるエッチング技術を開発した。
今回，開発したエッチング装置では，45 nmノード以降のデバイス製造にも十分に耐えるエッチング性能と高い生産性が得られることを確認した。
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