- 注：略語説明
- ALD（Atomic Layer Deposition）
45 nmノード世代に対応する縦型バッチ式ALD成膜装置「ALDINNA」
株式会社日立国際電気は，これまで蓄積してきた縦型酸化拡散・気相反応成膜技術や，次世代デバイスに展開可能な高清浄化技術などをベースとして，45 nmノード世代の微細かつ複雑化するデバイスに対応可能な，原子層レベルの均質な縦型バッチ式ALD成膜装置「ALDINNA」を開発した。
半導体デバイスの微細化に伴い，低温度での成膜技術が要求されてきている。また，ALD（Atomic Layer Deposition）法は，熱履歴の低減や良好な段差被覆性などの特徴を有している。65〜45 nmノード以降のデバイスには，この低温度に対応した成膜技術であるALD法が有望視されている。
株式会社日立国際電気では，バッチ式による生産性の拡大，高生産，高清浄化QUIXACEプラットフォームの採用，原料ガス供給方式の最適化をコンセプトに，縦型バッチ式ALD成膜装置「ALDINNA（アルディーナ）」を開発し，2002年に製品化を果たしてきた。現在の対応膜種としては，SiN，SiO，AlO，HfOの4膜種を基本膜種として，ロジック，メモリ向けの成膜アプリケーションを展開するとともに，量産ラインでの適用により，半導体デバイスの生産に寄与している。
今後さらに，バッチサイズの拡大，ALDサイクルタイムの縮減によるスループット向上を図り，高生産性をアピールしていく。
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