- 注：略語説明
- HARC（High Aspect Ratio Contact），UHF-ECR（Ultra High Frequency - Electron Cyclotron Resonance）
高性能・高生産性を実現する絶縁膜エッチング装置とHARC加工例
新構造，新材料の採用によって，もはや1種類のプラズマエッチング装置だけで，絶縁膜の加工すべてに対応することはできない。それぞれのエッチングでの加工特性や必要となる加工性能を見極めて，最先端デバイスの生産に適した装置選定が必要となる。またHARCをエッチング加工で形成する場合も，用いられるマスク材料や装置の選定によって得られるエッチングパフォーマンスが大きく左右される。
最先端のデバイス量産では，絶縁膜エッチング加工にLow-k （低誘電率）膜の低ダメージ/デュアルダマシン加工はもちろんのこと，配線側壁の表面荒れ（ラフネス）低減，多層マスク工程の高速加工，HARC（高アスペクト比コンタクトホール）の高アスペクト加工などが要求される。
株式会社日立ハイテクノロジーズは，有磁場マイクロ波プラズマエッチング装置「M-712」，およびUHF-ECR（極超短波―電子サイクロトロン共鳴）方式のプラズマエッチング装置「U-8250」を絶縁膜エッチング用に提供している。それぞれの装置の特性を生かして，高精度で高生産性の最先端デバイスの量産が実現できる。
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