- 注：略語説明
- DRAM（Dynamic Random Access Memory），IPD（Inter Poly-Si Dielectrics），STI（Shallow Trench Isolation）
プラズマ選択酸化装置「MARORA」の外観とメモリデバイスへの主な適用工程
株式会社日立国際電気は，MMT（変形マグネトロン型）プラズマ方式とプレート型高温ヒータを基盤技術として選択酸化装置を開発した。「MARORA」は選択酸化工程以外にも半導体デバイスの多くの工程に適用が検討されている。
半導体デバイスの製造プロセス低温化への要求に伴い，高温熱処理の代替技術としてプラズマ処理が検討されている。株式会社日立国際電気は，ゲート電極のメタル材料の採用に伴い，プラズマ選択酸化装置を製品化し，他社に先駆けてデバイス生産ラインへ導入した。
この選択酸化技術では，MMT（変形マグネトロン型）プラズマ方式とプレート型高温ヒータが基盤技術であり，ウェーハ温度を従来のプラズマ装置よりも大幅に向上し，酸化膜中の界面準位密度を3割以上低減している。
今後もこの基盤技術をベースに顧客ニーズに対応した装置開発・プロセス開発を積極的に進め，半導体デバイスの進化に貢献していく。
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