日立評論

ナノレベルの「見る」,「削る」,「付ける」技術で 最先端半導体デバイス製造に貢献する

イオンビームによるフォトマスク欠陥修正技術

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Hitachi

日立評論

ハイライト

半導体デバイス製造に用いられるリソグラフィ用フォトマスクの欠陥修正には集束イオンビーム技術が用いられる。最先端のデバイスでは,欠陥修正の最小加工寸法や精度にナノメートルレベルが要求される。

この微細化要求に対応するために,従来30年以上にわたって実績がある液体金属イオン源に代えて,微細化ブレークスルー技術として新方式の電界電離型ガスイオン源を開発した。これを欠陥修正装置に搭載し,最小加工寸法や修正精度,修正後のフォトマスクの光学特性など,最先端の性能要求を満たすことを確認した。

目次

執筆者紹介

八坂 行人Yasaka Anto

  • 株式会社日立ハイテクノロジーズ 科学・医用システム事業統括本部 科学システム製品本部 電子顕微鏡第一設計部 所属
  • 現在,電子顕微鏡,集束イオンビーム技術の設計開発に従事
  • 博士(工学)
  • 応用物理学会会員

荒巻 文朗Aramaki Fumio

  • 株式会社日立ハイテクサイエンス 設計本部 BT設計部 所属
  • 現在,集束イオンビームマスク修正装置の設計開発に従事

小堺 智一Kozakai Tomokazu

  • 株式会社日立ハイテクサイエンス 設計本部 BT設計部 所属
  • 現在,集束イオンビームマスク修正装置の設計開発に従事

松田 修Matsuda Osamu

  • 株式会社日立ハイテクサイエンス 設計本部 BT設計部 所属
  • 現在,集束イオンビームマスク修正装置の設計開発に従事
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